详细信息
一、产品简介
WD4000无图晶圆几何量测系统自动测量Wafer厚度、表面粗糙度、三维形貌、单层膜厚、多层膜厚。使用光谱共焦对射技术测量晶圆Thickness、TTV、LTV、BOW、WARP、TIR、SORI等参数，同时生成Mapping图；采用白光干涉测量技术对Wafer表面进行非接触式扫描同时建立表面3D 层析图像，显示2D剖面图和3D立体彩色视图，高效分析表面形貌、粗糙度及相关3D参数；基于白光干涉图的光谱分析仪，通过数值七点相移算法计算，达到亚纳米分辨率测量表面的局部高度，实现膜厚测量功能；红外传感器发出的探测光在Wafer 不同表面反射并形成干涉，由此计算出两表面间的距离（即厚度），可适用于测量Bonding Wafer的多层厚度。该传感器可用于测量不同材料的厚度，包括碳化硅、蓝宝石、氮化镓、硅等。
WD4000无图晶圆几何量测系统可广泛应用于衬底制造、晶圆制造、及封装工艺检测、3C 电子玻璃屏及其精密配件、光学加工、显示面板、MEMS 器件等超精密加工行业。可测各类包括从光滑到粗糙、低反射率到高反射率的物体表面，从纳米到微米级别工件的厚度、粗糙度、平整度、微观几何轮廓、曲率等，提供依据SEMI/ISO/ASME/EUR/GBT 四大国内外标准共计300余种2D、3D参数作为评价标准。
二、产品优势
1、非接触厚度、三维微纳形貌一体测量
◆ 集成厚度测量模组和三维形貌、粗糙度测量模组，使用一台机器便可完成厚度、TTV、LTV、BOW、WARP、粗糙度、及三维形貌的测量。
2、高精度厚度测量技术
◆ 采用高分辨率光谱共焦对射技术对Wafer进行高效扫描。
◆ 搭配多自由度的静电放电涂层真空吸盘，晶圆规格最大可支持至12寸。
◆ 采用Mapping跟随技术，可编程包含多点、线、面的自动测量。
3、高精度三维形貌测量技术
◆ 采用光学白光干涉技术、精密Z 向扫描模块和高精度3D 重建算法，Z 向分辨率最高可到0. 1nm；
◆ 独特隔振设计极大降低地面振动和空气声波振动噪声，获得极高的测量重复性。
◆ 机器视觉技术检测图像Mark点，虚拟夹具摆正样品，可对多点形貌进行自动化连续测量。
4、大行程高速龙门结构平台
◆ 大行程龙门结构（400x400x75mm），最大移动速度500mm/s。
◆ 高精度花岗岩基座和横梁，整体结构稳定、可靠。
◆ 关键运动机构采用高精度直线导轨导引、AC伺服直驱电机驱动，搭配分辨率0.1μm的光栅系统，保证设备的高精度、高效率。
5、操作简单、轻松无忧
◆ 集成XYZ三个方向位移调整功能的操纵手柄，可快速完成载物台平移、Z向聚焦等测量前准备工作。
◆ 具备双重防撞设计，避免误操作导致的物镜与待测物因碰撞而发生的损坏情况。
◆ 具备电动物镜切换功能，让观察变得快速和简单。
三、应用场景
无图晶圆厚度、翘曲度的测量
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晶圆厚度、翘曲度测量结果
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通过非接触测量，将晶圆上下面的三维形貌进行重建，强大的测量分析软件稳定计算晶圆厚度、粗糙度、总体厚度变化(TTV),有效保护膜或图案的晶片的完整性。 |
无图晶圆粗糙度测量
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多文件分析细磨片25次测量数据
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细磨片25次测量数据Sa曲线图
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Wafer减薄工序中粗磨和细磨后的硅片表面3D图像，用表面粗糙度Sa数值大小及多次测量数值的稳定性来反馈加工质量。在生产车间强噪声环境中测量的减薄硅片，细磨硅片粗糙度集中在5nm附近，以25次测量数据计算重复性为0.046987nm，测量稳定性良好。 |
恳请注意：因市场发展和产品开发的需要，本产品资料中有关内容可能会根据实际情况随时更新或修改，恕不另行通知，不便之处敬请谅解。
