2026-08-21
客户是国内 Ⅲ-Ⅴ 族化合物半导体龙头企业，具备外延生长、芯片设计、芯片制造全链条自研量产能力，核心业务覆盖 Mini/Micro LED 显示芯片、VCSEL 光通信芯片、砷化镓航天太阳能电池三大板块。Mini/Micro LED 作为下一代显示核心器件，芯片刻蚀孔洞、薄膜台阶、微结构孔径、膜层落差直接决定芯片发光效率、巨量转移良率与屏幕色彩均匀性，是制程关键质控指标。
一、芯片制程检测多重痛点
Mini/Micro LED 经过光刻、刻蚀、镀膜多道工序，需精准量化台阶高度、内外孔径、孔洞深度，客户原有检测方式短板突出：
1.金相显微镜仅平面成像，无纵向高度量化数据，无法支撑工艺调整；
2.接触式台阶仪探针易划伤发光外延层，微小孔洞无法深入测量；
3.单一设备无法兼顾整片阵列快扫与微孔高精度观测，频繁换样效率低；
4.进口设备缺少 LED 专用批量统计模板，多点数据人工汇总易出错；
5.无环境振动监测，温湿度、地面扰动会造成纳米级测量漂移。
二、中图仪器定制化白光干涉仪检测方案
SuperView W1 系列白光干涉仪专为 LED 微结构打造全套无损测量方案：
1.双物镜自由切换
标配 10×、50X 两组干涉物镜，10X 用于整片芯片阵列批量巡检，50X 精准观测微米级微小孔洞，一台设备覆盖全部检测场景。
2.EPSI 复合扫描算法
兼顾纳米超薄介质膜与数微米深孔测量，光滑薄膜、粗糙刻蚀表面均可稳定成像，无需反复调节光源。
3.无损非接触 + 双重防撞
纯光学测量不接触芯片，搭配软件 + 机械双重防撞，杜绝超薄芯片样品报废；内置环境噪声检测，实时监控振动干扰，保障数据稳定。
4.自动化阵列批量分析
软件内置 LED 专用测量模板，自定义多点位自动扫描，一键汇总台阶、孔径、孔深均值与离散值，自动生成 3D 形貌、2D 剖面与标准化报表，多批次数据可直接对比复盘。
三、实测验证，覆盖全品类芯片
本次完成多组芯片实测，覆盖 0.07μm 超薄台阶至 122μm 大孔径全尺度微结构：
1.超薄介质芯片：精准捕捉 0.2μm 微小膜层落差，阵列离散度极低；
两处主台阶约 4.9μm，薄层落差仅 0.2μm
2.微孔刻蚀样品：50X 物镜清晰分辨多层环状孔径、0.5μm 浅孔洞；
孔洞深度 0.58~5.8μm，内外孔径 3.9~7.7μm
3.大面积阵列芯片：10X 物镜一次性完成整片多点扫描，批量统计高效。
孔径 119~122μm，台阶高度约 4.9μm
整套流程无需人工反复记录，大幅缩减研发与产线检测工时。
四、落地应用价值
1.无损零损耗：彻底解决探针划伤芯片难题，微小孔洞无测量盲区；
2.一机多用降本：两套物镜兼顾批量抽检与精细表征，无需多台设备；
3.数据全溯源：3D 形貌、轮廓曲线、统计报表统一存档，为刻蚀、镀膜工艺迭代提供量化依据；
4.本土快速服务：可针对新款芯片定制分析模板，技术问题 24 小时响应，适配企业新品持续研发。
五、结语
Mini/Micro LED 良率提升离不开纳米级微形貌精准管控。中图 SuperView W1 白光干涉仪凭借非接触、多尺度、自动化批量检测优势，为各大半导体企业提供国产可靠检测装备，助力显示芯片制造工艺持续优化升级。
